碳化硅上车已是大势所趋，国产产业链有望快速崛起！

昨天整体市场较为低迷，而昨天早评中提示过的高压快充则成为市场中少有的亮点。此外，另一个较为活跃的品种——第三代半导体其实也与高压快充有关。

而高压快充和第三代半导体的活跃，又与前一天下午华为举行的智界S7(图片|配置|询价)及华为全场景发布会有关。根据发布会的相关介绍，作为华为智选车阵营的新成员，智界S7无论是在电动化方面、还是在智能化方面，都有一些新突破。电动化方面：动力采用单电机后驱和双电机四驱2种模式，搭载全新DriveONE 800V碳化硅黄金动力平台，为行业内量产最高转速的电机，每分转速可达22000转，四驱版智界S7零百加速快至3.3秒；续航采用华为“巨鲸”800V高压平台，配备业界最薄800V高压电池包，充电5分钟增加215km续航。智能化方面：搭载ADS 2.0高阶智驾系统和HarmonyOS 4.0座舱。硬件分2种方案：Pro版采用纯视觉方案，Max版采用华为最新192线激光雷达。

这里面有两个关键词：一是碳化硅，二是激光雷达，分别对应当下智能车的创新聚焦点——续航和智驾。这意味着使用碳化硅器件和激光雷达，或是未来智能车分别在提高续航和智驾能力方面的重要解决方案。对于后者，锐叔曾在上周五的早评中重点解析过，今天来聊一下前者。

碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料具备诸多显著优势：（1）耐高压：相比于Si材料具有10多倍的击穿场强，因此可以通过更低的电阻率和更薄的漂移层实现更高的击穿电压，相同的耐压值下，SiC功率模块导通电阻/尺寸仅为硅（Si）的1/10，功率损耗大幅减少。（2）耐高频：SiC材料不存在电流拖尾现象，能够提高元件的开关速度，是硅（Si）开关速度的3-10倍，从而适用于更高频率和更快的开关速度。（3）耐高温：SiC材料具有禁带宽度大(约Si的3倍)、热导率高(约Si的3.3倍），熔点高(2830℃，约Si-1410℃的两倍)的特点，因此SiC器件在减少电流泄露的同时大幅提高工作温度。

而基于以上优势，碳化硅器件未来有望在新能源汽车、能源、工业、通讯等领域渗透率不断提升，市场规模有望持续扩大，其中新能源车和光伏为重要领域。（1）新能源汽车：SiC器件主要应用在PCU（动力控制单元，如车载DC/DC）和OBC（充电单元），相比于Si器件，SiC器件可减轻PCU设备的重量和体积，降低开关损耗，提高器件的工作温度和系统效率；OBC充电时，SiC器件可以提高单元功率等级，简化电路结构，提高功率密度，提高充电速度。（2）光伏发电领域：SiC材料具有更低的导通电阻、栅极电荷和反向恢复电荷特性，使用SiC-Mosfet或SiC-Mosfet与SiC-SBD结合的光伏逆变器，可将转换效率从96%提升至99%+，能量损耗降低50%+，设备循环寿命提升50倍。

从行业趋势看，SiC上车是大势所趋。特斯拉曾在2023年3月初的投资者大会上表示，将减少75%的SiC用量，一度引发SiC未来发展前景不明的猜测，但近期全球汽车市场却用实际行动表达了对SiC的支持，如全球第四大汽车集团Stellantis宣布，已与多家供应商签订包括SiC在内的半导体合作协议，总价值超80亿元。而国内方面，除了此次华为智界S7采用SiC器件外，在近日第21届广州国际车展上，就至少包含了15款以SiC为特色的新车型，里面不仅出现了今年下半年将上市的热门SiC车型，如仰望U8、智己LS6、华为问界M9等，还有一些尚未上市的SiC车型，例如奥迪Q6e-tron和仰望U9等也悉数登场。此外，今年还有小鹏G6、极氪X等多款20-25万元价格段的标配碳化硅车型上市。

据相关券商研报，碳化硅市场未来将由新能源汽车主导拉动，预计2028年全球市场规模有望达到66亿美元，22-28年CAGR高达32%。既然碳化硅上车是大势所趋，这一产业趋势背后相应蕴藏的市场机会自然也就值得关注。