主驱逆变器采用GaN！这家企业签约了

12月13日，Cambridge GaN Devices（CGD）官网宣布，他们与IFP Energies nouvelles（IFPEN）签署了汽车逆变器开发协议。

根据协议，IFPEN将在一款新的汽车逆变器设计中采用CGD的 ICeGaN™ GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）。

IFPEN移动事业部总监 Gaëtan Monnier表示：下一代逆变器需要新技术来减小尺寸和提高功率密度水平，同时解决成本挑战，他们将在创新的下一代汽车逆变器设计中使用CGD的 GaN HEMT。

据介绍，CGD的GaN技术已开发了业界易于使用且可扩展的 650V GaN HEMT 系列，其ICeGaN™ H1系列是单芯片 eMode HEMT 器件，可以像 MOSFET 一样驱动，无需特殊栅极驱动器以及复杂且有损耗的驱动电路等。

“行家说三代半”发现，CGD在此次签单之前，他们在氮化镓领域还有两大动作：

11月15日，CGD对外宣布融资1900万美元（约合人民币1.32亿元），资金将用于大规模生产GaN晶体管系列。

GGD联合创始人兼首席执行官表示：“我们的ICeGaNTM GaN晶体管现在已经大规模地交付客户手中——是市场上同类产品中效率最高的设备之一。”

11月14日，CGD与系统集成企业Newways签署协议，合作构建“GaN技术＋IPM”的光伏太阳能逆变器，以便将氮化镓技术更好地用于太阳能光伏等领域。据悉，双方的合作始于欧洲的 GaNext 项目，该项目旨在开发适用于光伏逆变器、车载充电器等领域的氮化镓功率器件。

此次双方合作研发的 3kW GaN光伏逆变器将在Electronica 2022上展示，据介绍，Newways的光伏逆变器很特别，它采用了无变压器超紧凑的设计，同时搭载了8个GaN晶体管，可实现 1kW/L 的功率密度；开关频率为 350kHz，最大效率为 99.22%。